記者近日從中國科大了解到，該校微電子學院龍世兵教授課題組基于低成本非晶氧化鎵材料，通過缺陷和摻雜工程實現了極端環(huán)境下依然表現超高靈敏度的日盲探測器。該方法為高性能、耐極端環(huán)境日盲紫外探測器的研制及應用提供了一種可行的參考。相關成果日前在線發(fā)表在《先進材料》雜志上。
氧化鎵作為新興的超寬禁帶半導體材料，具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數大、材料易加工等優(yōu)點，是日盲紫外探測較為理想的候選材料。然而，基于非晶氧化鎵材料開發(fā)高環(huán)境耐受性的高性能日盲紫外探測器還需解決其材料穩(wěn)定性差、缺陷密度高、漏電流大、持續(xù)光電導效應明顯等問題。
課題組通過一系列研究，成功設計出高性能且耐極端環(huán)境的氧化鎵日盲紫外光電探測器。與常規(guī)非晶富鎵氧化鎵器件相比，工程化處理的器件暗電流降低107倍、探測率提升102倍、響應速度提升。同時，得益于子帶隙吸收的抑制，探測抑制比提升了105倍，顯示出器件優(yōu)異的光譜選擇性。在高溫、高壓、高輻射等極端條件下，器件依然保持較高的探測性能，實現了高溫下的清晰日盲成像驗證。(吳長鋒)
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